Выпуск 3
https://lib.nsu.ru/xmlui/handle/nsu/1770
2024-03-28T21:32:41ZОпределение передаточной функции регулируемого объекта по характеристикам замкнутой системы с обратной связью
https://lib.nsu.ru/xmlui/handle/nsu/3301
Определение передаточной функции регулируемого объекта по характеристикам замкнутой системы с обратной связью
Брызгунов, М. И.; Гончаров, А. Д.; Рева, В. Б.; Скоробогатов, Д. Н.
The method for determination on transfer function of a system by its response to well-known input signal is proposed. The possibility of determination of transfer function of controlled object by transfer function of closed-loop control without disconnection of feedback is shown experimentally. The method for reduction of order of linear model of transfer function is proposed.; Предложена методика для определения передаточной функции системы по ее отклику на известный входной сигнал. Экспериментально показана возможность определения передаточной функции регулируемого объекта по передаточной функции замкнутой системы без разрыва обратной связи, что важно при адаптивном регулировании. Предложен способ для уменьшения порядка линейной модели передаточной функции.
2008-01-01T00:00:00ZЭффективные по быстродействию методы цифровой обработки динамических последовательностей изображений
https://lib.nsu.ru/xmlui/handle/nsu/3300
Эффективные по быстродействию методы цифровой обработки динамических последовательностей изображений
Резник, А. Л.; Ефимов, В. М.; Торгов, А. В.
The sharply rised performance capabilities of the modern production-type computers allow the succesful use of hybrid computing schemes in the problems related to images sequence concurrent processing. These schemes are based, on the one hand, on the most efficient recently developed analytic and numerical methods for the problem solution, and, on the other hand, on combination of methods in question with concurrent processing of not one or two images but a sequence of those. The stable method of this type for estimation of unknown parameters of camera and terrain relief reconstruction via a joint simultaneous processing of arbitrary number of satellite images is presented in this paper.; Приводится описание алгоритмов, положенных в основу созданного в Институте автоматики и электрометрии СО РАН программно-алгоритмического комплекса, предназначенного для обработки динамических последовательностей цифровых аэрокосмических изображений, включая оценивание неизвестных геометрических параметров съемки и трехмерную реконструкцию рельефа земной поверхности. Особенность предложенного подхода заключается в том, что основной акцент в работе сделан на высокое быстродействие создаваемого программного обеспечения и полную автоматизацию процесса обработки, не требующую участия оператора.
2008-01-01T00:00:00ZКинетика реконструкционного перехода (2 × 4) (3 × 1(6)) на поверхности арсенида галлия
https://lib.nsu.ru/xmlui/handle/nsu/3299
Кинетика реконструкционного перехода (2 × 4) (3 × 1(6)) на поверхности арсенида галлия
Васев, А. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Преображенский, В. В.
The features of (2×4) (3×1(6)) superstructure transition on GaAs(100) surface realized during rapid change of arsenic flux density were studied using RHEED method. The time dependences of ISB RHEED were obtained during this transition. The measurement data were analyzed in the framework of JMAK (Johnson – Melh – Avrami – Kolmogorov) kinetic model. The complex (double-state) structure of the transition process has been detected. This process is realized through the intermediate disordered state with different reconstructions domains coexisting on the surface. Activation energies and rates of the phase transition are defined for each stage. The procedure for precise temperature determination for GaAs(001) surface is proposed. This procedure uses the features of (2×4) (3×1(6)) reconstruction transition kinetics.; Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) изучались особенности сверхструктурного перехода (2 × 4) (3 × 1(6)) на поверхности GaAs(100) в условиях, вызванных резким изменением потока мышьяка. Получены зависимости интенсивности зеркального рефлекса картины ДБЭО от времени в процессе данного перехода. Результаты измерений проанализированы в рамках кинетической модели JMAK (Johnson – Melh – Avrami – Kolmogorov). Установлено, что процесс структурной перестройки является двухэтапным и осуществляется через промежуточное состояние разупорядоченния, при этом на поверхности сосуществуют домены с разными реконструкциями. Определены активационные энергии и скорости фазовых переходов для каждого из этапов. Предложена методика прецизионного определения температуры поверхности GaAs(001), использующая особенности кинетики реконструкционного перехода (2 × 4) (3 × 1(6)).
2008-01-01T00:00:00ZВлияние реконструкционного состояния поверхности на процессы встраивания мышьяка при молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия
https://lib.nsu.ru/xmlui/handle/nsu/3298
Влияние реконструкционного состояния поверхности на процессы встраивания мышьяка при молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия
Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Васев, А. В.; Преображенский, В. В.
The incorporation factors of arsenic (S As ) for As 2 and As 4 molecular flux during GaAs MBE were detected. It has been determined that S As does not depend on the arsenic molecular forms in incident flux. The correlation between S As and reconstruction state of GaAs(001) grown surface have been shown. The maximal values of S As for GaAs(001)-(4×2) and - (2×4) surfaces are characterized by 0.42 and 0.72, respectively. The dependences of arsenic incorporation rate and S As during GaAs MBE versus substrate temperature (T s ) and incident flux density were obtained.; Экспериментально определен коэффициент встраивания (S As ) мышьяка из потока молекул As 4 и As 2 при молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) GaAs. Установлено, что S As не зависит от молекулярной формы мышьяка в потоке, падающего на ростовую поверхность. Показано, что S As зависит от реконструкционного состояния ростовой поверхности GaAs(001). Поверхность с реконструкциями (4 × 2) и (2 × 4) характеризуется максимальными значениями S As , равными 0,42 и 0,75 соответственно. Получены зависимости скорости и коэффициента встраивания As от температуры подложки (T s ) и плотности падающего потока мышьяка при МЛЭ GaAs.
2008-01-01T00:00:00Z