The incorporation factors of arsenic (S As ) for As 2 and As 4 molecular flux during GaAs MBE were detected. It has been determined that S As does not depend on the arsenic molecular forms in incident flux. The correlation between S As and reconstruction state of GaAs(001) grown surface have been shown. The maximal values of S As for GaAs(001)-(4×2) and - (2×4) surfaces are characterized by 0.42 and 0.72, respectively. The dependences of arsenic incorporation rate and S As during GaAs MBE versus substrate temperature (T s ) and incident flux density were obtained.
Экспериментально определен коэффициент встраивания (S As ) мышьяка из потока молекул As 4 и As 2 при молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) GaAs. Установлено, что S As не зависит от молекулярной формы мышьяка в потоке, падающего на ростовую поверхность. Показано, что S As зависит от реконструкционного состояния ростовой поверхности GaAs(001). Поверхность с реконструкциями (4 × 2) и (2 × 4) характеризуется максимальными значениями S As , равными 0,42 и 0,75 соответственно. Получены зависимости скорости и коэффициента встраивания As от температуры подложки (T s ) и плотности падающего потока мышьяка при МЛЭ GaAs.
