Исследован ангармонизм фононов в кремнии, проявляющийся в зависимости частоты пика в спектре комбинационного рассеяния от температуры, в диапазоне от 80 до 900 K. Полученные данные позволят уточнить методику определения средних размеров кремниевых нанокристаллов из анализа спектров комбинационного рассеяния света в случае, если в процессе снятия спектра нанокристаллы находятся при температуре, отличной от комнатной.
Anharmonicity of phonons in silicon manifesting in dependence of peak frequency in Raman spectrum versus temperature in range from 80 to 900 K was studied. The obtained data allow to improve method of definition of average sizes of silicon nanocrystals using Raman scattering data analysis, in the case of the not room temperature of nanocrystals during spectroscopic measurements.
