Характеристики фотоприемных устройств для инфракрасного диапазона, изготовленных на основе эпитаксиальных пленок кадмий – ртуть – теллур р-типа, во многом определяются рекомбинационно-диффузионными параметрами неосновных носителей заряда. Исследование поведения неравновесных носителей заряда в пленках, помещенных в стационарные скрещенные электрическое и магнитное поля, позволяет найти эти параметры. В настоящей работе проведен обзор литературы, посвященной изучению неравновесных свойств фотогенерированных носителей заряда методами фотомагнитного эффекта, фотопроводимости в магнитном поле для геометрии Фойгта и Фарадея.
The main characteristics of infrared photodetectors on base of p-type mercury-cadmium-telluride epitaxial films are mainly governed by recombination and diffusion parameters of minor charge carriers. The investigation of excess charge carriers behavior in epitaxial films placed in stationary crossed electrical and magnetic fields is allows determining of this parameters. This paper reviews of such photoelecromagnetic methods for investigation of excess charge carriers’ recombination and diffusion properties as methods of photomagnetic effects and photoconductivity in magnetic fields for Voight and Faradey geometry.
