Исследован переход ультратонкой пленки нитрида титана (толщиной 5 нм) в сверхпроводящее состояние. Установлено, что немонотонная температурная зависимость сопротивления R(T) является следствием конкуренции вкладов в проводимость квантовых поправок от электрон-электронного взаимодействия в диффузионном и куперовском каналах. Установлено, что затянутость перехода при T>Tc (Тс – критическая температура сверхпроводящего перехода) обусловлена вкладом сверхпроводящих флуктуаций. Приведены результаты анализа низко-температурных (при T < Тс) вольтамперных характеристик V(I). Показано, что они имеют степенной характер V ∝ I α(T)с показателем степени α(T), быстро возрастающим при уменьшении температуры. Определена температура перехода Березинского–Костерлица–Таулесса Т БКТ и ширина резистивной области ∆T = Tc– T БКТ.
The transition to the superconducting state of the ultrathin (5 nm thick) titanium nitride film was studied. It is found that the nonmonotonic temperature dependence of theresistance, R (T), is a consequence of competition between the contributions to conductivity from quantum correctionsstemming from the electron-electron interaction inthe diffusion and Cooper channels. It is shown that the appreciable decrease in the resistance at T>Tc (Tc is the superconducting transition temperature) results from the superconducting fluctuations. We present the results of the analysis of low-temperature (T < Tc) current-voltage characteristics V(I). It is found that they follow the power-law behavior V ∝ I α(T), with α(T) increasing rapidly with the decreasing temperature. The Berezinskii-Kosterlitz-Thouless transition temperature, TBKT, and width of the superconducting transition ∆T = Tc−T БКТ were determined.
